Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292853| Заглавие документа: | Спектры нарушенного полного внутреннего отражения пленок негативного фоторезиста NFR 016 D4 |
| Другое заглавие: | Attenuated total reflection spectra of NFR 016 D4 negative photoresist films / D. I. Brinkevich, V. S. Prosolovich, V. V. Kolos, O. A. Zubova |
| Авторы: | Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Колос, В. В. Зубова, О. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 30-35. |
| Аннотация: | Исследованы спектры нарушенного полного внутреннего отражения пленок негативного новолачного фоторезиста NFR 016 D4 нанесенных на пластины монокристаллического кремния методом центрифугирования. При волновых числах ниже 1600 см −1 наблюдалось возрастание фонового поглощения структур фоторезист/Si, обусловленное проникновением зондирующего поля в кремниевую подложку и процессами рассеяния/отражения на границе раздела фоторезист/Si. Наиболее интенсивной является полоса при 812 см −1 , обусловленная внеплоскостными колебаниями С-Н связей паразамещенного кольца. Установлена асимметричность силового поля ароматического кольца в фоторезистивной пленке. Показано, что концентрация ОН-групп возрастает по мере приближения к границе раздела ФР/Si. При увеличении толщины пленки фоторезиста NFR 016 D4 наблюдалось перераспределение интенсивностей полос, обусловленных валентными колебаниями ароматического кольца. Проведено сравнение спектров нарушенного полного внутреннего отражения новолачных фоторезистов ФП9120 и NFR 016 D4 |
| Аннотация (на другом языке): | The spectra of the attenuated total reflection (ATR) of films of negative novolach photoresist NFR 016 D4 deposited on single-crystal silicon wafers by centrifugation have been studied. At wave numbers below 1600 cm −1 , an increase in the background absorption of photoresist/Si structures was observed due to the penetration of the probing field into the silicon substrate and scattering/reflection processes at the photoresist/Si interface. The band at 812 cm −1 is the most intense, due to out-of-plane oscillations of the C-H bonds of the parasubstituted ring. The asymmetry of the aromatic ring force field in a photoresistive film has been established. It is shown that the concentration of OH groups increases as it approaches the FR/Si interface. With an increase in the thickness of the NFR 016 D4 photoresist film, a redistribution of the band intensities due to valence vibrations of the aromatic ring was observed. A comparison of the ATR spectra of novolach photoresists FP9120 and NFR 016 D4 was carried |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292853 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.