Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2022. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292841
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorОлешкевич, А. Н.
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.
dc.contributor.authorПросолович, В. С.
dc.contributor.authorЛапчук, Т. М.
dc.contributor.authorЛапчук, Н. М.
dc.date.accessioned2023-01-26T10:07:00Z-
dc.date.available2023-01-26T10:07:00Z-
dc.date.issued2022
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 283-286.
dc.identifier.isbn978-985-881-440-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/292841-
dc.descriptionДефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstractАнализировались спектры ЭПР кремниевого образца с пленкой диоксида кремния, имплантированной ионами азота с энергией 40 кэВ и дозой 1×10 15 см−2 , с последующим процессом БТО при Т = 1050 °С в течение 15 с на воздухе, до и после облучения УФ излучением. Исследовалась стабильность модифицированного поверхностного слоя кремния к воздействию ультрафиолетового излучения с длиной волны 254 нм
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние ультрафиолетового излучения на парамагнетизм модифицированной ионами азота и отожженной в процессе БТО пленки диоксида кремния
dc.title.alternativeEffect of ultraviolet radiation on the paramagnetism of a silica film modified by nitrogen ions and annealed in the BTO process / A. N. Oleshkevich, V. B. Odzhaev, V. S. Prosolovich, T. M. Lapchuk, N. M. Lapchuk
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe EPR spectra of a silicon sample with a silicon dioxide film implanted with nitrogen ions with an energy of 40 keV and a dose of 1×10 15 cm−2 were analyzed, followed by a RTA process at T = 1050 °C for 15 s in air, before and after UV irradiation. The stability of the modified surface layer of silicon to the action of ultraviolet radiation with a wavelength of 254 nm was studied
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
283-286.pdf485,6 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.