Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292840Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Одринский, А. П. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:07:00Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:07:00Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 279-282. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292840 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Метод фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS) использован для исследования процессов делокализации заряда в 2D-структурированном монокристалле сегнетоэлектрика-полупроводника TlGaSe2:Al. Обнаружено семь процессов делокализации заряда. Сравнением с результатами ранних исследований на нелегированном кристалле установлено четыре процесса предположительно связанные с введением примеси алюминия | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований, грант №Ф22-127 | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия кристалла TlGaSe2, легированного алюминием | |
| dc.title.alternative | Photoinduced current transient spectroscopy of TlGaSe2 crystal doped by aluminium / A. P. Odrinsky | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) technique is applied for studying the processes of charge delocalization in 2D-structured single crystal of TlGaSe2:Al ferroelectric-semiconductor. The seven delocalization processes are recognized. That was compared with results of early researches on undoped crystal of TlGaSe2. It is established four processes presumably connected with introduction of the aluminium impurity | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 279-282.pdf | 618,83 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.