Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2022. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292829
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorKolesnikova, E. A.
dc.contributor.authorUglov, V. V.
dc.contributor.authorKuleshov, A. K.
dc.contributor.authorRusalsky, D. P.
dc.contributor.authorTeterukov, E. V.
dc.contributor.authorTochilin, E. V.
dc.date.accessioned2023-01-26T10:06:58Z-
dc.date.available2023-01-26T10:06:58Z-
dc.date.issued2022
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 231-234.
dc.identifier.isbn978-985-881-440-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/292829-
dc.descriptionДефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstractThis paper presents a study of the effect of Co 60 gamma irradiation with an energy density of at least 10 15 –10 17 cm−2 on the electrical resistivity of indium antimonide films formed by explosive thermal evaporation. The irradiation conditions are imitation of radiation exposure in Earth orbit with an absorbed dose of up to 150 kGy. The temperature dependences of electrical resistivity were obtained in the range from RT to 150 °C. It was found that with a gamma irradiation fluence of 10 16 cm−2 in a narrow temperature range the resistivity increases. In the case of maximum fluence of gamma irradiation (10 17 cm−2 ) the resistivity decreases. It is assumed that this is due to a change in the position of the Fermi level during irradiation
dc.description.sponsorshipThe work was supported by the State Program of the Scientific Researches «Materials science, new materials and technologies» under the assignment 1.3.2 «Radiation-resistant heteroepitaxial structures of indium antimonide on gallium arsenide substrates»
dc.language.isoen
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleEffect of gamma irradiation on electrical resistivity of indium antimonide films
dc.typeconference paper
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
231-234.pdf360,1 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.