Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292824| Заглавие документа: | Энергия Урбаха отожженных пленок сульфида индия |
| Другое заглавие: | Urbach energy of annealed indium sulphide films / N. I. Staskov, E. A. Chudakov |
| Авторы: | Стаськов, Н. И. Чудаков, Е. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 208-213. |
| Аннотация: | Дисперсионная формула Тауца-Лоренца в приближении трехслойной электродинамической модели пленки на поглощающей подложке позволяет определить показатели преломления пленок In2S3. Толщина пленок уменьшается из-за уплотнения при увеличении температуры отжига. Спектры показателя экстинкции имеют минимум, длина волны которого уменьшается с ростом температуры отжига пленок. Это приводит к увеличению отражательной способности и уменьшению прозрачности пленок, ширина запрещенной зоны пленок увеличивается с повышением температуры отжига от 1,79 эВ до 2,03 эВ, а энергия Урбаха уменьшается от 0 , 165 эВ до 0,127 эВ. Температуру отжига 450 °C можно рассматривать как оптимальную для улучшения структурных, морфологических и оптических свойств пленок In2S3, нанесенных высокочастотным напылением. Величина энергии Урбаха этих пленок значительно меньше соответствующей энергии пленок, полученных методом термического испарения |
| Аннотация (на другом языке): | The Tautz-Lorentz dispersion formula in the approximation of a three-layer electrodynamics model of a film on an absorbing substrate makes it possible to determine the refractive indices of In2S3 films. The film thickness decreases due to compaction as the annealing temperature increases. The spectra of the extinction index have a minimum, the wavelength of which decreases with an increase in the annealing temperature of the films. This leads to an increase in the reflectivity and a decrease in the transparency of the films. The band gap of the films increases with an increase in the annealing temperature from 1.79 eV to 2.03 eV, and the Urbach energy decreases from 0.165 to 0.127 eV. The annealing temperature of 450°C can be adjusted as optimal for improving the structural, morphological, and optical properties of In2S3 films produced by high-frequency sputtering. The value of the Urbach energy of these films is much lower than the corresponding energy of the films obtained by thermal evaporation |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292824 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках Государственной программы научных исследований Республики Беларусь «1.15 Фотоника и электроника для инноваций» |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 208-213.pdf | 887,45 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.