Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292819| Заглавие документа: | Проблемы выращивания трубчатых монокристаллов кремния для непланарных технологий силовой электроники |
| Другое заглавие: | Problems of growing tubular silicon single crystals for non-planar power electronics technologies / A. I. Prostomolotov, N. A. Verezub, T. T. Kondratenko |
| Авторы: | Простомолотов, А. И. Верезуб, Н. А. Кондратенко, Т. Т. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 187-192. |
| Аннотация: | Анализируются процессы термомеханики применительно к существующему и хорошо отлаженному процессу выращивания методом Чохральского поликристаллических сильно дислокационных кремниевых труб большого диаметра для эпитаксиальных реакторов. Отмечается, что для выращивания трубчатых малодислокационных монокристаллов кремния малого диаметра требуется существенная модернизация стандартного теплового узла, которая в данной работе реализуется применительно к установке «РЕДМЕТ-10» для метода Чохральского. С помощью компьютерного моделирования рассчитываются процессы термомеханики в такой модернизированной установке. Характеризуются параметры выращенных трубчатых монокристаллов кремния, оценивается их пригодность для изготовления силовых полупроводниковых приборов по непланарной технологии |
| Аннотация (на другом языке): | The processes of thermal mechanics are analyzed in relation to the existing and well-established process of growing polycrystalline highly dislocation silicon tubes of large diameter for epitaxial reactors by the Czochralski method. It is noted that the growth of tubular low-dislocation silicon single crystals of small diameter requires a significant modernization of the standard thermal unit, which is implemented in this work in relation to the «REDMET-10» installation for the Czochralski method. With the help of computer simulation, thermomechanical processes are calculated in such a modernized installation. The parameters of the grown tubular silicon monocrystals are characterized, and their suitability for the manufacture of power semiconductor devices using nonplanar technology is assessed |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292819 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Финансовая поддержка: | Компьютерное моделирование выполнено по теме государственного задания ИПМех РАН (№ госрегистрации АААА-А20-120011690136-2) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 187-192.pdf | 585,94 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.