Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292811
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМихалкович, О. М.
dc.contributor.authorБарайшук, С. М.
dc.contributor.authorБобрович, О. Г.
dc.date.accessioned2023-01-26T10:06:54Z-
dc.date.available2023-01-26T10:06:54Z-
dc.date.issued2022
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 147-151.
dc.identifier.isbn978-985-881-440-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/292811-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractИзучены морфология и гидрофильность поверхности металлических (Ti и Сo) пленок на кремнии после облучения ионами Xe+ и на стекле осажденных в условиях ассистирования собственными ионами. Показано, что облучения кремния ионами Xe с энергиями в диапазоне 10–40 кэВ и флюенсе 10 14 см−2 не вызывает изменения морфологии поверхности. С ростом времени осаждения пленок гидрофильность поверхности стекла снижается
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при финансовой поддержке Министерства образования Республики Беларусь № ГР 20211394
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleМодификация поверхностных слоев кремния и стекла ионно-лучевым распылением титана и кобальта
dc.title.alternativeModification of surface layers of silicon and glass by ion-beam sputtering of titanium and cobalt / O. M. Mikhalkovich, S. M. Baraishuk, O. G. Bobrovich
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe morphology and hydrophilicity of the surface of metallic (Ti and Co) films on silicon irradiated with xenon ions and on glass deposited with self-ion assisted were studied. It has been shown that irradiation of silicon with Xe ions with energies in the range of 10–40 keV and a fluence of 10 14 cm–2 does not cause a change in the surface morphology. As the time of film deposition increases, the hydrophilicity of the glass surface decreases
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
147-151.pdf576,23 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.