Исследование электрофизических свойств кремниевого фотодиода с помощью моделирования

Abstract

В настоящее время компьютерное моделирование полупроводниковых структур является одним из основных методов исследования и предварительной оценки электрофизических параметров и характеристик приборов электронной техники, так как их исследование экспериментальным путём является более сложным длительным и дорогим способом. Целью данной работы были разработка одномерной численной модели гомогенной фоточувствительной p–n -структуры, изготовленной на основе кремния, и выполнение с применением данной модели расчётов распределений по глубине структуры потенциала, концентраций подвижных носителей заряда, поля, токов и зависимостей токов от интенсивности излучения, падающего на кремниевый фотодиод, в фотодиодном и фотогальваническом режимах. В процессе исследований установлено, что зависимость плотности тока, протекающего через исследуемый фотодиод, от интенсивности излучения, падающего на его структуру, носит линейный характер