Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292803
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКолибаба, Г. В.
dc.contributor.authorРуснак, Д. Ю.
dc.contributor.authorКострюкова, Н. В.
dc.date.accessioned2023-01-26T10:06:53Z-
dc.date.available2023-01-26T10:06:53Z-
dc.date.issued2022
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 113-117.
dc.identifier.isbn978-985-881-440-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/292803-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractАнализируются преимущества спекания высокопроводящей керамики ZnO, легированной донорными металлическими примесями, с участием химических транспортных реакций на основе HCl. Показана возможность многократного повешения проводимости и концентрации носителей тока в пленках ZnO, осажденных магнетронным распылением керамических мишеней. Этот эффект обусловлен стехиометрическим отклонения распыляемого материала и взаимодействием примесей металла и хлора
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при поддержки Министерства Образования, Культуры и Исследований Республики Молдова, грант № 20.80009.5007.16 «Фотосенсибилизаторы для применения в фармацевтической медицине и фотовольтаике»
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleХимические транспортные реакции в производстве высокопроводящей керамики и тонких пленок ZnO
dc.title.alternativeThe use of chemical transport reactions to obtain highly conductive ZnO ceramics and thin films / G. V. Colibaba, D. Iu. Rusnac, N. V. Costriucova
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe advantages of sintering highly conductive ZnO ceramics, doped with donor metal impurities, using HCl-based chemical transport reactions are analyzed. The possibility of a multiple increase in the conductivity and concentration of charge carriers in ZnO thin films, deposited by magnetron sputtering of the obtained ceramic targets, is shown. This effect is caused by the stoichiometric deviation of the sputtered material and the interaction of metallic impurities and chlorine
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
113-117.pdf624,98 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.