Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292772| Title: | Электрофизические характеристики наноразмерных пленок меди, пoлученных прямым осаждением из ионных пучков |
| Other Titles: | Characteristics of nanosized copper films produced by direct deposition from ion beams / E. V. Telesh, N. D. Gutenko |
| Authors: | Телеш, Е. В. Гутенко, Н. Д. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 540-544. |
| Abstract: | Проведено исследование влияния энергии ионов меди и аргона на скорость нанесения, удельное объемное сопротивление и температурный коэффициент сопротивления наноразмерных медных пленок. Установлено, что скорость нанесения снижалась при увеличении напряжения на диафрагме. У пленок, нанесенных на кремниевые подложки при Uд > 50–60 В, имел место резкий рост удельного объемного сопротивления. Наблюдалось монотонное снижение температурного коэффициента сопротивления при увеличении энергии ионов в пучке, что объясняется наличием диэлектрической прослойки на границах зерен меди |
| Abstract (in another language): | A study of the influence of the energy of copper and argon ions on the deposition rate, volume resistivity, and temperature coefficient of resistance of nanosized copper films was made. It was found that the deposition rate decreased with an increase of diaphragm voltage. Films deposited on silicon substrates at Ud > 50–60 V exhibited a sharp increase in volume resistivity. A monotonic decrease in the temperature coefficient of resistance was observed with an increase in the energy of ions in the beam, which is explained by the presence of a dielectric layer at the boundaries of copper grains |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292772 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 540-544.pdf | 464,93 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.