Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292769
Заглавие документа: | О работе одномолекулярного транзистора в бистабильном режиме |
Другое заглавие: | On a single-molecular transistor operation in the bistable regime / A. P. Saiko, S. A. Markevich |
Авторы: | Сайко, А. П. Маркевич, С. А. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2022 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 526-530. |
Аннотация: | Рассчитаны вольт-амперные характеристики модели одномолекулярного транзистора при учете сильного нелинейного электрон-колебательного взаимодействия в молекуле. Построены фазовые диаграммы, определяющие области существования стабильных и бистабильных режимов функционирования транзистора, в осях: Γ − β, β − T, VG – T и VG − Γ, где Γ – скорость туннелирования заряда, β – константа нелинейного электрон-колебательного взаимодействия, VG – запирающее напряжение, T – температура термостата |
Аннотация (на другом языке): | The volt-ampere characteristics of a model of a single-molecule transistor are calculated taking into account the strong nonlinear electron-vibrational interaction in the molecule. Phase diagrams are constructed that determine the regions of existence of stable and bistable regimes of the transistor operation in the axes: Γ − β, β − T, VG – T, and VG − Γ , where Γ is the charge tunneling rate, β is the constant of the nonlinear electron-vibrational interaction, VG is the blocking voltage, and T is the thermostat temperature |
Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292769 |
ISBN: | 978-985-881-440-3 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
526-530.pdf | 521,62 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.