Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292769
Заглавие документа: О работе одномолекулярного транзистора в бистабильном режиме
Другое заглавие: On a single-molecular transistor operation in the bistable regime / A. P. Saiko, S. A. Markevich
Авторы: Сайко, А. П.
Маркевич, С. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2022
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 526-530.
Аннотация: Рассчитаны вольт-амперные характеристики модели одномолекулярного транзистора при учете сильного нелинейного электрон-колебательного взаимодействия в молекуле. Построены фазовые диаграммы, определяющие области существования стабильных и бистабильных режимов функционирования транзистора, в осях: Γ − β, β − T, VG – T и VG − Γ, где Γ – скорость туннелирования заряда, β – константа нелинейного электрон-колебательного взаимодействия, VG – запирающее напряжение, T – температура термостата
Аннотация (на другом языке): The volt-ampere characteristics of a model of a single-molecule transistor are calculated taking into account the strong nonlinear electron-vibrational interaction in the molecule. Phase diagrams are constructed that determine the regions of existence of stable and bistable regimes of the transistor operation in the axes: Γ − β, β − T, VG – T, and VG − Γ , where Γ is the charge tunneling rate, β is the constant of the nonlinear electron-vibrational interaction, VG is the blocking voltage, and T is the thermostat temperature
Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292769
ISBN: 978-985-881-440-3
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
526-530.pdf521,62 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.