Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292763
Title: Взаимосвязь электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом
Other Titles: Interrelation of the electrophysical parameters of a transistor structure with a two-dimensional channel / D. A. Podryabinkin, V. V. Melnikova, A. L. Danilyuk
Authors: Подрябинкин, Д. А.
Мельникова, В. В.
Данилюк, А. Л.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2022
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 503-508.
Abstract: Рассмотрено влияние на электрофизические параметры транзисторной структуры с двумерным полупроводниковым каналом ширины запрещенной зоны материала канала, емкости подзатворного диэлектрика, емкости интерфейсных состояний в зависимости от потенциала полевого электрода. Установлены закономерности, характеризующие взаимосвязи между электрофизическими параметрами транзисторной структуры с двумерным полупроводниковым каналом
Abstract (in another language): The effect of the electrical parameters of a transistor structure with a two-dimensional semiconductor channel on the band gap of the channel material, the capacitance of the gate dielectric, and the capacitance of interface states is considered depending on the field electrode potential. Regularities that characterize the relationship between the electrophysical parameters of a transistor structure with a two-dimensional semiconductor channel were established
Description: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292763
ISBN: 978-985-881-440-3
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:2022. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
503-508.pdf614,23 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.