Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/285596| Заглавие документа: | Hot phonon effects and Auger recombination on 3 μm room temperature lasing in HgTe-based multiple quantum well diodes |
| Авторы: | Afonenko, A. A. Ushakov, D. V. Dubinov, A. A. Aleshkin, V. Ya. Morozov, S. V. Gavrilenko, V. I. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Journal of Applied Physics |
| Библиографическое описание источника: | J. Appl. Phys. 132, 073103 (2022) |
| Аннотация: | We propose an electrically pumped laser diode based on multiple HgTe quantum wells with band structure engineered for Auger recombination suppression. A model for accounting for hot phonons is developed for calculating the nonequilibrium temperature of electrons and holes. Using a comprehensive model accounting for carrier drift and diffusion, Auger recombination, and hot-phonon effects, we predict of lasing at λ ∽ 3 μm at room temperature in the 2.1 nm HgTe/Cd0.85Hg0.15Te quantum well heterostructure. The output power in the pulse can reach up to 600 mW for 100 nanosecond-duration pulses. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/285596 |
| DOI документа: | 10.1063/5.0098918 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| JAP_2022_7_1-11.pdf | 1,71 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.