Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/28310
Title: ФОРМИРОВАНИЕ СУБМИКРОННЫХ n+- СЛОЕВ В Si и SiGe, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ
Authors: Покотило, Ю. М.
Петух, А. Н.
Гиро, А. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2011
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011.
Abstract: При имплантации протонов с энергией 300 кэВ и последующей термообработке 350 0С в течение 20 мин в кристал- лах Si и SiGe формируются низкоомные n+-слои. Форма профилей описывается гауссовым распределением с полуши- риной ∆Rp=0.49 и 1.38 мкм и концентрацией Н-доноров в максимуме Nmax=7.1015 и 4.2.1016 см-3 соответственно для об- разцов Si и SiGe. Обсуждаются причины снижения эффективности образования Н-доноров и уширения слоя в кристал- лах SiGe.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/28310
Appears in Collections:2011. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Покотило.pdf290,19 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.