ВЛИЯНИЕ ОТЖИГА В ВАКУУМЕ НА СПЕКТРАЛЬНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В КРИСТАЛЛЕ СИЛИКАТА ВИСМУТА

Abstract

Представлены результаты экспериментальных исследований спектральных зависимостей коэффициента погло- щения при комнатной температуре в спектральном диапазоне 450 – 900 нм в нелегированном кристалле силиката висмута Bi12SiO20, подвергнутом отжигу в вакууме при температуре 650 °С и последующим нескольким процессам от- жига в воздушной атмосфере при различных температурах, в диапазоне 240 – 480 °С. Получено, что оптическое по- глощение кристалла увеличивается в спектральном диапазоне 450 – 900 нм после температурного отжига в вакууме. Спектральная зависимость изменений в оптическом поглощении демонстрирует резонансный характер с широкой ин- тенсивной полосой, имеющей максимум при λ = 640 нм. Дальнейший отжиг в воздушной атмосфере приводит к уменьшению наведенных изменений оптического поглощения с увеличением температуры отжига, что позволяет свя- зать резонансную полосу в их спектре с вакансиями кислорода. Показано, что в отожженных в вакууме образцах не наблюдается изменений оптического поглощения после засветки излучением с длиной волны λ = 1064 нм. Проведена численная аппроксимация наблюдаемых спектральных зависимостей коэффициента поглощения в рамках модели, учитывающей вклад в примесное поглощение как процессов фотовозбуждения электронов в зону проводимости с глу- боких донорных центров с нормальным законом распределения концентраций по энергии ионизации, так и внутрицен- тровых переходов.