ВЛИЯНИЕ МИКРОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА МЕХАНИЗМ ПРОТЕКАНИЯ ТОКА В ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТАХ Au-TiBx-AuGe-n-n+-n++InP(GaAs)

Беляев, А. Е.; Саченко, А. В.; Болтовец, Н. С.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/28231

Title:	ВЛИЯНИЕ МИКРОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА МЕХАНИЗМ ПРОТЕКАНИЯ ТОКА В ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТАХ Au-TiBx-AuGe-n-n+-n++InP(GaAs)
Authors:	Беляев, А. Е. Саченко, А. В. Болтовец, Н. С.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2011
Citation:	Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011.
Abstract:	Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления ρс омических контактов Au-TiBx-AuGe-n-n+-n++InP(GaAs) до и после кратковременной (2, 10 секунд) микроволновой обра- ботки. Показано, что после микроволновой обработки ρс может уменьшаться во всем температурном интервале изме- рений ρс , который составил 100-400 К. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимо- стей ρс (Т), объясненное в предположении изменения плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, стимулированное микроволновым излучением.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/28231
Appears in Collections:	2011. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Беляев-Конакова.pdf		280,32 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar