Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/28231| Заглавие документа: | ВЛИЯНИЕ МИКРОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА МЕХАНИЗМ ПРОТЕКАНИЯ ТОКА В ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТАХ Au-TiBx-AuGe-n-n+-n++InP(GaAs) |
| Авторы: | Беляев, А. Е. Саченко, А. В. Болтовец, Н. С. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2011 |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011. |
| Аннотация: | Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления ρс омических контактов Au-TiBx-AuGe-n-n+-n++InP(GaAs) до и после кратковременной (2, 10 секунд) микроволновой обра- ботки. Показано, что после микроволновой обработки ρс может уменьшаться во всем температурном интервале изме- рений ρс , который составил 100-400 К. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимо- стей ρс (Т), объясненное в предположении изменения плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, стимулированное микроволновым излучением. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/28231 |
| Располагается в коллекциях: | 2011. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Беляев-Конакова.pdf | 280,32 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.