Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/281663
Заглавие документа: | Структурные, оптические и электрические свойства тонких пленок на основе халькогенидов и элементов подгруппы углерода, перспективных для создания солнечных элементов. ГПНИ «Физическое материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма «Материаловедение и технологии материалов», задание 1.06 : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель М. С. Тиванов |
Авторы: | Тиванов, М. С. Колесов, Е. А. Свито, И. А. Гиро, А. В. Байко, Д. С. Лопатов, Г. Я. Смирнова, О. Ю. Магонь, Н. С. Рублевская, О. Н. Цыганок, Д. В. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленность ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Механика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Энергетика |
Дата публикации: | 2020 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Аннотация: | Объекты исследования – тонкие пленки соединений CZTX, MoS2, In2S3, а также твердые растворы кремний-германий. Цель работы – установление корреляций между условиями синтеза исследованных объектов, их структурой, фононными, оптическими и электрофизическими свойствами. Методы исследования – сканирующая электронная и зондовая микроскопия, рентгенодифракционный анализ, спектроскопия комбинационного рассеяния света, измерение электрофизических характеристик. В результате исследования установлены корреляции между условиями синтеза и составом пленок CZTX, MoS2, In2S3, а также твердых растворов кремний-германий, их структурой, фононными, оптическими и электрофизическими свойствами. В частности, установлено влияние режимов селенизации (сульфуризации) на элементный состав, кристаллическую структуру, морфологию и оптические свойства тонких пленок CZTSe и MoS2. Показано, что четырехфононные процессы являются основным фактором наблюдаемых температурных изменений положения и полуширины линий в спектрах комбинационного рассеяния пленок CZTSe. Экспериментально показана возможность неразрушающего определения фундаментальных параметров (ширины запрещенной зоны, длины диффузии неосновных носителей заряда) пленок In2S3 методом спектроскопии фотоэдс. Показано, что обработка в водородной плазме приводит к сдвигу в сторону более низких частот полос Si-Si, Ge-Ge и Si-Ge в спектрах комбинационного рассеяния света твёрдых растворов кремний-германий. |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/281663 |
Регистрационный номер: | Рег. № НИР 20190460 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/closedAccess |
Располагается в коллекциях: | Отчеты 2020 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Отчет 20190460 Тиванов.rtf | 231,9 MB | RTF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.