Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/280294| Title: | Эффективность генерации квантоворазмерных GaInAs/GaAs-лазеров при неоднородном возбуждении квантовых ям |
| Authors: | Ушаков, Д. В. Афоненко, А. А. Алешкин, В. Я. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2013 |
| Publisher: | Москва : Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук |
| Citation: | «Квантовая электроника», 43, № 11 (2013), 999-1002 |
| Abstract: | Развита модель расчета мощностных характеристик лазерных структур с учетом неоднородного возбуждения квантовых ям (КЯ), процессов рекомбинации в барьерных областях и эффектов нелинейного усиления. Показано, что для структур Ga0.8In0.2As/GaAs/InGaP при увеличении числа КЯ мощность генерации сначала существенно возрастает, затем незначительно снижается. При этом в широком диапазоне токов инжекции оптимальное количество КЯ составляет 5 ± 1. Неоднородность возбуждения КЯ растет с увеличением тока инжекции и приводит к снижению мощности генерации по сравнению с однородным возбуждением. |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/280294 |
| Sponsorship: | Работа выполнена при поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (проекты № Ф12Р–107, 12-02-90024-Бел). |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 43-2013 qe15193.pdf | 436,94 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.