Моделирование лазерных диодов с длиной волны генерации 3 мкм на основе HgTe/CdHgTe гетеростуктур с множественными квантовыми ямами с учетом эффекта горячих фононов

Афоненко, А. А.; Ушаков, Д. В.; Дубинов, А. А.; Алешкин, В. Я.; Морозов, С. В.; Гавриленко, В. И.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/280009

Title:	Моделирование лазерных диодов с длиной волны генерации 3 мкм на основе HgTe/CdHgTe гетеростуктур с множественными квантовыми ямами с учетом эффекта горячих фононов
Authors:	Афоненко, А. А. Ушаков, Д. В. Дубинов, А. А. Алешкин, В. Я. Морозов, С. В. Гавриленко, В. И.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2022
Publisher:	Нижний Новгород : Изд-во Нижегородского госуниверситета
Citation:	Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.). В 2 т. Том 2. - С. 691-692.
Abstract:	В работе предложен лазерный диод на основе нескольких квантовых ям HgTe с зонной структурой, обеспечивающей подавление оже-рекомбинации. Разработана модель учета горячих фононов для расчета неравновесной температуры электронов и дырок. Используя комплексную модель, учитывающую дрейф и диффузию носителей, оже-рекомбинацию и эффекты горячих фононов, показана возможность генерации при комнатной температуре на длине волны  ~ 3 мкм в гетероструктуре HgTe/Cd0.85Hg0.15Te с квантовыми ямами толщиной 2.2 нм. Найдено, что выходная мощность в импульсе может достигать 1 Вт для импульсов длительностью 1 мкс.
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/280009
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
2022_v2-2_691-692.pdf		766,35 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar