Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/274404
Заглавие документа: Изменение оптических параметров кремния после быстрой термической обработки
Другое заглавие: Variation of the silicon optical parameters after rapid heat treatment / V. M. Anishchik, V. A. Harushka, U. A. Pilipenka, V. V. Ponariadov, V. A. Saladukha, A. A. Omelchenko,
Авторы: Анищик, В. М.
Горушко, В. А.
Пилипенко, В. А.
Понарядов, В. В.
Солодуха, В. А.
Омельченко, А. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2021
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Журнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. - 2021. - № 3. - С. 81-85
Аннотация: Приведены результаты исследования влияния быстрой термической обработки на оптические характеристики кремния в области G-точки зоны Бриллюэна в зависимости от типа проводимости кремниевых пластин, уровня их легирования, ковалентного радиуса легирующих примесей, а также кристаллографической ориентации поверхности пластины. Коэффициенты преломления и поглощения исходных образцов КДБ-12 ориентации <100 >, КДБ-10 ориентации <111>, КДБ-0,005 ориентации <100 > и КЭС-0,015 ориентации <100 >, имеющих диаметр 100 мм и прошедших стандартную химико-механическую полировку, измерялись до и после быстрой термической обработки на эллипсометре Uvisel 2 (Horiba Scientific, Франция) в спектральном диапазоне 0,6 – 6,0 эВ (200 –2100 нм). Угол падения светового пучка на образец составлял 70°. Показано, что изменение оптических характеристик поверхности кремния в спектральной области расположения G-точки зоны Бриллюэна после проведения быстрой термической обработки обусловлено снижением поверхностного деформационного потенциала за счет твердофазной рекристаллизации механически нарушенного слоя. Установлено, что быстрая термическая обработка образцов кремния с высокой концентрацией бора приводит к более cущественному уменьшению коэффициентов преломления и поглощения, чем у образцов кремния с низкой его концентрацией, вследствие обеднения бором приповерхностной области кремния в результате диффузионных процессов на границе кремний – двуокись кремния.
Аннотация (на другом языке): The results of the effect of rapid heat treatment on the optical characteristics of a silicon wafer surface in the region of the G-point in the Brillouin zone are presented for different types of silicon wafers conductivity, their doping level, the covalent radii of dopants and the crystallographic orientation of the wafer surface. The absorption coefficient and refractive index of the initial 100 mm diameter samples KDB-12 <100 >, KDB-10 <111>, KDB-0.005 <100 > and KES-0.015 <100 >, underwent standard chemical-mechanical polishing, was measured on a Uvisel 2 ellipsometer (Horiba Scientific, France) in the spectral range 0.6 – 6.0 eV (200 –2100 nm) before and after rapid heat treatment. The incidence angle of the light beam was 70° relative to the sample plane. It is shown that the changes in the optical characteristics of the silicon surface in the spectral region of the location of the G-point in the Brillouin zone after rapid heat treatment is due to a decrease in the surface deformation potential due to solid-phase recrystallisation of the mechanically damaged layer. It has been established that carrying out the rapid heat treatment of silicon samples with a high boron concentration leads to a more significant decrease in the refractive index and absorption compared with silicon with a low boron concentration, due to an increase in the depletion of the silicon surface with boron as a result of diffusion processes at the silicon – silicon dioxide interface.
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/274404
ISSN: 2520-2243
DOI документа: 10.33581/2520-2243-2021-3-81-85
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:2021, №3

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
81-85.pdf426,26 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.