Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/274388| Title: | Formation of epitaxial InSb films on semi-insulating GaAs(100) by explosive thermal evaporation: their structure and electrical properties |
| Other Titles: | Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизолирующем GaAs(100) методом взрывного термического испарения: их структура и электрические свойства / Е. А. Колесникова, В. В. Углов, А. К. Кулешов, Д. П. Русальский |
| Authors: | Kolesnikova, E. A. Uglov, V. V. Kuleshov, A. K. Rusalsky, D. P. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Журнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. - 2021. - № 3. - С. 20-25 |
| Abstract: | In the present work, the influence of the deposition temperature of InSb films on semi-insulating GaAs(100) on their phase composition, crystal perfection and electrical properties was investigated. The InSb films of various extent of crystal perfection are formed by means of explosive thermal deposition of InSb on semi-insulating GaAs(100) substrates in the temperature range of 375– 460 °C. X-ray diffraction analysis established that the films are heteroepitaxial. It is shown that an increase in the deposition temperature of InSb films from 375 to 460 °C leads to a change in the film surface roughness (Ra ) from 3.4 to 19.1 nm. The Hall voltage sensitivity to the magnetic field of InSb films varies in the range of 500 –1500 mV/ T. The electron concentration (n) and mobility (µ) changes in the range of 2 ⋅ 1016 – 6 ⋅ 1016 cm–3, 10 ⋅ 103 – 21 ⋅ 103 cm2/(V ⋅ s). The formed InSb films on semi-insulating GaAs(100) substrate are of practical interest for the manufacture of highly sensitive miniature Hall devices. |
| Abstract (in another language): | Исследованы фазовый состав, кристаллическое совершенство и электрические свойства пленок антимонида индия (InSb), обусловленные температурой их осаждения на подложки полуизолирующего GaAs(100). Методом взрывного термического осаждения порошка InSb на подложки полуизолирующего GaAs(100) в интервале температур 375– 460 °С были сформированы тонкие пленки InSb различной степени кристаллического совершенства. Рентгеноструктурным анализом установлено, что пленки InSb являются гетероэпитаксиальными. Показано, что увеличение температуры осаждения от 375 до 460 °С приводит к изменению шероховатости (Ra ) поверхности пленок от 3,4 до 19,1 нм. Чувствительность электродвижущей силы Холла к магнитному полю пленок InSb меняется в диапазоне 500 –1500 мВ/ Тл. Концентрация электронов (n) и их подвижность (µ) колеблются в интервале 2 ⋅ 1016 – 6 ⋅ 1016 см–3 и 10 ⋅ 103 – 21 ⋅ 103 см 2/(B ⋅ c). Сформированные на подложке полуизолирующего GaAs(100) пленки InSb представляют практический интерес для изготовления высокочувствительных миниатюрных преобразователей Холла. |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/274388 |
| ISSN: | 2520-2243 |
| DOI: | 10.33581/2520-2243-2021-3-20-25 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2021, №3 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.