Моделирование нелинейных процессов массо- и теплопереноса, квантовомеханических эффектов в наноструктурах электроники : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. И. Белько

Abstract

Объектами исследований являются кластеры точечных дефектов в кремнии и германии, а также нанокластеры дефектов с участием легирующих атомов, которые образуются в пересыщенных растворах собственных точечных дефектов и атомов примесей. Цель работы – создание программного комплекса для моделирования процессов формирования наноструктурных элементов электроники, основанного на использовании методов молекулярной динамики, квантовой химии и кинетического Монте-Карло, адаптированного к высокопроизводительным вычислительным платформам. В результате выполнения задач НИР был разработан программный комплекс, интегрирующий в себе расчеты методом кинетического Монте-Карло и молекулярной динамики в одном цикле моделирования, для многоуровневого описания зарождения и роста ансамблей нанокластеров собственных дефектов. Программный комплекс был использован для прогнозирования остаточного уровня и параметров радиационных повреждений в кремнии и кремний-германиевых сплавах в условиях, представляющих интерес для практических приложений.