Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271758| Заглавие документа: | Фотолюминесценция и стимулированное излучение сверхтонких квантовых ям GaN/AlN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией |
| Другое заглавие: | Photoluminescence and stimulated emission of GaN/AlN ultrathin quantum wells grown by molecular beam epitaxy / E.V. Lutsenko, A.V. Nahorny, M.V. Rzheutski, D.V. Nechaev, V.N. Jmerik |
| Авторы: | Луценко, Е. В. Нагорный, А. В. Ржеуцкий, Н. В. Нечаев, Д. В. Жмерик, В. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 245-248. |
| Аннотация: | Исследованы спектры фотолюминесценции сверхрешеток GaN/AlN с сверхтонкими (1 монослой GaN) квантовыми ямами и барьерами 3, 4 и 6 монослоев AlN, а также с 2 монослоями GaN и барьерами AlN 4 монослоя. Показано, что фотолюминесценция обусловлена преимущественно локализованными состояниями сверхтонких квантовых ям GaN, образованных участками с толщинами большими номинальной. Обсуждается влияние технологии роста на спектры фотолюминесценции. Впервые, на длине волны около 320 нм (что соответствует излучению из 5 монослоев GaN) получено стимулированное излучение сверхтонких (2 монослоя GaN) квантовых ям, имеющее ТЕ поляризацию, с порогом генерации 500 кВт/см2 |
| Аннотация (на другом языке): | We studied the photoluminescence spectra of GaN/AlN superlattices with ultrathin (1 GaN monolayer) quantum wells and barriers of 3, 4, and 6 AlN monolayers, as well as with 2 GaN monolayers and AlN barriers of 4 monolayers. It is shown that photoluminescence is mainly due to localized states of ultrathin GaN quantum wells formed by regions with thicknesses greater than the nominal one. The influence of the growth technology on the photoluminescence spectra is discussed. For the first time, at a wavelength of about 320 nm (which corresponds to radiation from 5 GaN monolayers), stimulated emission of ultrathin (2 GaN monolayers) quantum wells with TE polarization with a lasing threshold of 500 kW/cm2 was obtained |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271758 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Номер, дата депонирования: | № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021 |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 245-248.pdf | 1,19 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.