Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271752
Заглавие документа: Исследование kink-эффекта в полупроводниковых лазерах
Другое заглавие: Study of the kink-effect in semiconductor lasers / V. M. Stetsik, V. V. Surinovich, V. A. Radion
Авторы: Стецик, В. М.
Суринович, В. В.
Радион, В. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Дата публикации: 2021
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 223-226.
Аннотация: В работе рассмотрена перестройка частоты излучения полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами в близи kink-эффекта. Рабочим инструментом являлся интерферометр Майкельсона, с изменяющейся разностью плеч. В области kink-эффекта скорость перестройки частоты значительно понижалась, после прохождения по току этой области скорость перестройки значительно возрастала и могла быть более чем в два раза выше перестройки до kink-эффекта. Это объясняется изменением показателя преломления вследствие изменения объёма генерирующей модуль
Аннотация (на другом языке): The paper discusses the restructuring of the radiation frequency of semiconductor lasers with quantum wells in a short-term kink effect. An interferometer of Michelson, with a changing shoulder difference, was the working tool. In the kink effect area, the frequency restructuring rate was significantly reduced, after passing the current of this area, the speed of restructuring increased significantly and could be more than twice the adjustment to the kink effect. This is explained by changing the refractive index due to the change in the volume of the generating module
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271752
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Номер, дата депонирования: № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021
Располагается в коллекциях:2021. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
223-226.pdf1,27 MBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.