Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271735| Title: | Моделирование свойств модифицированных графеновых структур |
| Other Titles: | Modelling the properties of modified graphene structures / V.V. Murav’ev, V.N. Mishchenka |
| Authors: | Муравьев, В. В. Мищенко, В. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 164-166. |
| Abstract: | Выполнено исследование параметров и характеристик химически модифицированных графеновых структур методом ab-initio моделирования (моделирование из первых принципов). Материал графен считается одним из наиболее перспективных материалов для формирования новых полупроводниковых приборов диапазонов СВЧ и КВЧ, а также оптических диапазонов. Однако его использование в полупроводниковой электронике сдерживается наличием ряда проблем, и в частности, проблемы, связанной с отсутствием зазора между валентной зоной и зоной проводимости. Одно из возможных решений этой проблемы связано с разработкой модифицированных графеновых структур, которые представляют собой структуры, состоящие из двухмерного графена, атомы которого связаны с атомами других материалов, например, водорода или фтора. Для использования полученных структур в новых полупроводниковых приборах необходимо определить их основные электрофизические параметры и характеристики, такие как, эффективная масса электронов, значения зазоров между долинами и ряд других параметров и характеристик |
| Abstract (in another language): | The study of parameters and characteristics of modified graphene structures by ab-initio simulation (first-principles simulation) is performed. Graphene material is considered one of the most promising materials for the formation of new semiconductor devices in the microwave and high frequency ranges. However, its use in digital semiconductor electronics is constrained by a number of problems, and in particular, the problem associated with the lack of a gap between the valence band and the conduction band. One possible solution to this problem involves the development of modified graphene structures, which are a structures consisting of two-dimensional grapheme whose atoms are bonded to hydrogen or fluorine atoms. To use these materials in new semiconductor devices it is necessary to obtain its main electrophysical parameters and characteristics, such as the effective mass of electrons, valley gaps values and a number of other parameters and characteristics |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271735 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Number, date deposit: | № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021 |
| Appears in Collections: | 2021. Квантовая электроника |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 164-166.pdf | 994,4 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.