Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271729| Заглавие документа: | Эпитаксиальные слои SiC на пластинах кремния с SiGe буферами |
| Другое заглавие: | Epitaxial SiC on Si wafer with SiGe buffer layers / P.I.Gaiduk |
| Авторы: | Гайдук, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 145-148. |
| Аннотация: | Выращивание эпитаксиальных слоев SiC на подложках Si имеет большое значение для развития силовой электроники и оптоэлектроники. Вместе с тем, высокий уровень несоответствия решеток Si и SiC приводит к формированию протяженных дефектов и накоплению упругих напряжений в структурах SiC/Si. В настоящей работе для решения проблемы предложено использовать буферные слои SiGe сплава. Представлены результаты структурно-фазовых исследований твердофазной эпитаксии тонких пленок SiC на подложке Si с буферными слоями SiGe и показана перспективность такого подхода. Обсуждаются механизмы эпитаксии и релаксации деформации SiC в зависимости от состава буферного слоя и условий выращивания |
| Аннотация (на другом языке): | Epitaxial growth of SiC layers on the Si substrates is of huge importance for opto- and high-power-electronic applications. The problem is that high lattice misfit result in extended defects and strain accumulation in the SiC/Si structures. Buffer layers are expected to solve the problem of SiC defect-free epitaxial growth. We report the results of solid phase epitaxy of thin SiC layers on Si substrate with incorporated SiGe buffer layers. The mechanisms of SiC epitaxy and strain relaxation are discussed as a function of buffer layer and growth conditions |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271729 |
| Финансовая поддержка: | Исследования выполнялись в рамках проекта 3.1.2 ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций» (№ ГР 20212702) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Номер, дата депонирования: | № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021 |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 145-148.pdf | 938,17 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.