Фото- и электролюминесценция слоев SiO2 , имплантированных высокими дозами ионов олова

Романов, И. А.; Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271725

Title:	Фото- и электролюминесценция слоев SiO2 , имплантированных высокими дозами ионов олова
Other Titles:	Photo- and electroluminescence of high fluence Sn-implanted SiO2 layers / I.A. Romanov, F.F. Komarov, L.A. Vlasukova, I.N. Parkhomenko
Authors:	Романов, И. А. Комаров, Ф. Ф. Власукова, Л. А. Пархоменко, И. Н.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date:	2021
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 130-133.
Abstract:	Светоизлучающие структуры на базе кремния изготовлены методом имплантации ионов олова с энергией 80 кэВ и дозами 1×10 17 , 5×10 16 и 2,5×10 16 ион/см2 в термически выращенные слои SiO2 с последующей термообработкой при 900 °C. В спектрах фото- и электролюминесценции сформированных структур доминирует полоса в фиолетовой области спектра с максимумом при 3,2 эВ, которая приписывается люминесценции нановключений SnO2 . Увеличение дозы имплантации приводит к уменьшению интенсивности этой полосы на спектрах фото- и электролюминесценции. Этот эффект объясняется увеличением центров безызлучательной рекомбинации с ростом дозы имплантации. Кроме того, спектры фотолюминесценции характеризуются полосой в диапазоне 1,7 – 2,5 эВ, интенсивность которой уменьшается после пропускания заряда через образцы. Обсуждается природа люминесценции
Abstract (in another language):	Silicon-based light-emitting structures have been fabricated by high-fluence Sn implantation (80 keV, 2.5×10 16 , 5×10 16 and 1×10 17 ion/cm 2 ) into thermally grown SiO2 and afterwards annealed at 900 °C for 60 minutes in ambient air. The intense violet band at 3.2 eV dominates in photoluminescence (PL) and electroluminescence spectra, which is attributed to the luminescence of SnO2 nanoparticles. Its intensity decreases with Sn fluence increasing. This effect is explained via increasing luminescence quenching centers concentration with Sn fluence increasing. In addition, the PL spectra are characterized by a band in the range of 1.7-2.5 eV which is attributed to the presence of localized states near the middle of the SnO2 band gap
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/271725
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Number, date deposit:	№ 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021
Appears in Collections:	2021. Квантовая электроника

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
130-133.pdf		1,04 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar