Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271134
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorFedotov, Alexander K.
dc.contributor.authorTyschenko, Ida
dc.contributor.authorFedotova, Julia
dc.contributor.authorPashkewich, Alexey
dc.contributor.authorSvito, Ivan
dc.date.accessioned2021-10-28T08:19:04Z-
dc.date.available2021-10-28T08:19:04Z-
dc.date.issued2021
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 388-391.
dc.identifier.issn2663-9939 (Print)
dc.identifier.issn2706-9060 (Online)
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/271134-
dc.descriptionСекция 4. Формирование наноматериалов и наноструктур = Section 4. Formation of nanomaterials and nanostructures
dc.description.abstractIn this paper, we examine carrier transport mechanisms in Silicon-on-Insulator (SOI) structures, containing InSb nanoparticles in SiO2 layer, before and after annealing at 1273 K. The comparison of temperature dependences of current-voltage (I-V) characteristics allowed us to determine the mechanisms of carrier transport (hopping and zone-like) in this nanostructures and estimate some transport parameters in the temperature range of 2-300 K. The measurements have confirmed the presence of Fouler-Nordheim and hopping mechanism contributions into low-temperature I-V characteristics of the studied SOI structures
dc.language.isoen
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleCarrier Transport Mechanisms in Ion-Implanted Silicon-on-Insulator Structures with InSb Clusters
dc.typeconference paper
Располагается в коллекциях:2021. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
388-391.pdf419,05 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.