Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271131| Заглавие документа: | Исследование спектров оптического поглощения в кристалле Bi12SiO20 при воздействии импульсного ИК излучения с длиной волны 1053 нм |
| Другое заглавие: | Study of optical absorption spectra in a Bi12SiO20 crystal exposed to pulsed IR radiation with a wavelength of 1053 nm / Valeria Dyu, Stanislav Shandarov, Marina Kisteneva, Serafim Smirnov, Yuryi Kargin |
| Авторы: | Дю, В. Г. Шандаров, С. М. Кистенева, М. Г. Смирнов, С. В. Каргин, Ю. Ф. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 52-56. |
| Аннотация: | Представлены результаты экспериментальных исследований спектральных зависимостей оптического поглощения в кристалле Bi 12 SiO 20 и их изменений, наблюдаемых при воздействии импульсного лазерного излучения с длиной волны 1053 нм и непрерывного лазерного излучения с длиной волны 532 нм. Показано, что облучение импульсным лазерным излучением с длиной волны 1053 нм и частотой следования импульсов 0.1-10 кГц приводит к уменьшению оптического поглощения в кристалле Bi 12 SiO 20 во всем исследованном диапазоне длин волн 500-850 нм. Для рассматриваемых частот импульсного излучения с одной и той же дозой облучения величина наведенных изменений в кристалле одинакова . Воздействие на кристалл непрерывным лазерным излучением с длиной волны 532 нм приводит к увеличению оптического поглощения и к одному и тому же состоянию при его достаточной длительности. Спектры оптического поглощения аппроксимировались в рамках модели примесного поглощения, учитывающей вклад как процессов фотовозбуждения электронов в зону проводимости с глубоких донорных центров с нормальным законом распределения концентраций по энергии ионизации, так и внутрицентровых переходов с гауссовым видом частотных зависимостей |
| Аннотация (на другом языке): | The results of experimental studies of the spectral dependences of optical absorption in a Bi12SiO20 crystal and their changes observed upon exposure to pulsed laser radiation with a wavelength of 1053 nm and continuous laser radiation with a wavelength of 532 nm are presented. It is shown that crystal irradiation with wavelength of 1053 nm and pulse repetition rate of 0.1-10 kHz leads to decrease in the absorption coefficient in the spectral range 500-850 nm. The magnitude of the induced changes in the optical absorption is the same for the considered frequencies of pulsed radiation with the same exposure. Crystal illumination with continuous laser radiation with a wavelength of 532 nm leads both to an increase of optical absorption and to the just one crystal state for sufficient duration of one. The time dependence of changes in the optical absorption coefficients is satisfactorily described by sum of three exponentials with characteristic times of 3‧10 2 , 6‧10 3 , and 3.36‧10 4 s for all pulse repetition rate. The difference in spectrum dependences of changes in the optical absorption coefficients demonstrate a resonance nature of absorption, which is due to intracentre transitions. The optical absorption spectra were approximated in the framework of the impurity absorption model, which takes into account the contribution of both photoexcitation of electrons to the conduction band from deep donor centers with a normal distribution law of concentrations in terms of ionization energy, and intracenter transitions with Gaussian type of frequency dependencies. We take into account four intracenter transitions with Gaussian spectral characteristics having the maxima at quantum energies equal to 1.51, 1.63, 1.77, and 2.42 eV. For the transitions of electrons to the conduction band four deep donor centers were taken into account with average ionization energies of 1.17; 1.60; 1.94 and 2.70 eV. Calculations show that decrease in the absorption in the range from 500 nm to 850 nm in the Bi 12 SiO 20 crystal caused by pulsed IR irradiation may be associated with decrease in the contributions of all intracenter transitions to it and with a decrease of the electron filling of centers with an ionization energy of 1.17 eV. In addition, an increase of the electron filling of donor centers with an ionization energy of 1.60 and 2.70 eV takes place |
| Доп. сведения: | Секция 1. Процессы взаимодействия излучения и плазмы с твердым телом = Section 1. Processes of Radiation and Plasma Interaction with Solids |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271131 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки Российской Федерации в рамках Госзадания на 2020 – 2022 годы (задание FEWM-2020-0038/3) |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.