Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271123
Заглавие документа: | Влияние быстрой термической обработки на оптические характеристики кремния |
Другое заглавие: | Influence of the rapid thermal treatment on the optical characteristics of silicon / V.A. Pilipenko, V.A. Solodukha, V.A. Gorushko, A.A. Omelchenko, V.M. Anishchik, V.V. Ponaryadov |
Авторы: | Пилипенко, В. А. Солодуха, В. А. Горушко, В. А. Омельченко, А. А. Анищик, В. М. Понарядов, В. В. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2021 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 340-344. |
Аннотация: | Проведены исследования влияния быстрой термической обработки на оптические характеристики кремния в области Г-точки зоны проводимости в зависимости от типа проводимости кремниевых пластин, уровня их легирования, ковалентного радиуса легирующих примесей, а также ориентации поверхности пластины. Показано, что механическая шлифовка и полировка поверхности кремниевых пластин приводит к формированию на ней нарушенного слоя, изменяющего поверхностный деформационный потенциал и вызывающего изменение оптических характеристик поверхности кремния, наиболее проявляющееся в спектральной области расположения Г-точки зоны проводимости. Установлено, что проведение БТО образцов кремния с высокой концентрацией бора приводит к более значительному уменьшению коэффициента преломления и поглощения, из-за более значительного обеднения поверхности кремния бором в результате диффузионных процессов на границе кремний-двуокись кремния, чем в случае кремния с низкой его концентрацией |
Аннотация (на другом языке): | Investigations were conducted of influence of the rapid thermal treatment on the optical characteristics of silicon in the region of the G-point of the conductance area in dependence on the conductance type of silicon wafers, level of their doping, covalent radius of dopants, as well as on orientation of the wafer surface. It was demonstrated, that the afore stated treatment of wafers from the non-working side by means of light pulses during 7 sec. in the argon atmosphere results in reduction of the absorption coefficient and increase of the refraction coefficient in the G-point absorption spectrum area of the conductance zone irrespective of the type of silicon wafers. This is determined by the process of the solid phase re-crystallization of the disrupted layer on the surface of the silicon wafer after the chemical-mechanical polishing of silicon and its purification from any other pollutants |
Доп. сведения: | Секция 3. Модификация свойств материалов = Section 3. Modification of material properties |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271123 |
ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
340-344.pdf | 387,66 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.