Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271093| Title: | Образование вакансионно-кислородных центров VO5 и VO6 в кристаллах кремния при радиационно-термических обработках |
| Other Titles: | Formation of vacancy-oxygen complexes VO5 and VO 6 in silicon crystals upon irradiation-thermal treatments / E.A. Talkachova, V.P. Markevich, S.B. Lastovskii, L.I. Murin |
| Authors: | Толкачева, Е. А. Маркевич, В. П. Ластовский, С. Б. Мурин, Л. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 218-222. |
| Abstract: | Контролируемое образование преципитатов кислорода позволяет оптимизировать операцию внутреннего геттерирования нежелательных металлических примесей в технологии производства полупроводниковых приборов на базе кристаллического кремния, выращенного методом Чохральского (Cz-Si). Вакансионно-кислородные комплексы VО5 и VО6 являются центрами зарождения кислородных преципитатов. Ранее было показано, что эти комплексы ответственны за полосы инфракрасного поглощения с максимумами у 1036 см-1 и у 1051 см-1 в облученных и термообработанных кристаллах Cz-Si. В настоящей работе методом ИК поглощения исследованы изменения в амплитудах полос поглощения, связанных с комплексами VО5 и VО6 , при различных радиационно-термических обработках. Установлены зависимости эффективностей введения этих комплексов от ряда факторов, таких как вид высокоэнергетических частиц, доза облучения и температура отжига. Обнаружено, что полосы поглощения с максимумами у 1036 см-1 и у 1051 см-1 являются более интенсивными в случае нейтронного облучения, а в случае облучения электронами, эффективности введения комплексов VО5 и VО6 возрастают с ростом дозы облучения |
| Abstract (in another language): | The controlled formation of oxygen precipitates allows the optimization of internal gettering of unwanted metallic impurities in technology of production of semiconductor devices based on crystalline silicon grown by the Czochralski (Cz-Si) technique. Vacancy-oxygen complexes VO5 and VO6 are the nucleation centers for oxygen precipitates. It has been shown earlier that these complexes give rise to infra-red (IR) absorption bands with the maxima at 1036 cm-1 and 1051 cm-1 in irradiated and heat-treated Cz-Si crystals. In the present work, changes in the amplitudes of the absorption bands associated with the VO5 and VO6 complexes induced by various radiation-thermal treatments have been investigated by the IR absorption method. The dependences of the introduction efficiencies of these complexes on a number of factors, such as the type of high-energy particles, radiation dose, and annealing temperature have been established. It is found that the bands with their maxima at 1036 cm-1 and 1051 cm-1 are more intense in the case of neutron irradiation, and in the case of electron irradiation, introduction rates of the VO5 and VO6 complexes increase with the rise of irradiation dose |
| Description: | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271093 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Appears in Collections: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 218-222.pdf | 415,7 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.