Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271080
Title: Численное моделирование кинетики захвата носителей зарядов кластерами дефектов
Other Titles: Numerical modeling of charge carrier capture kinetics by defect clusters / E.A. Levchuk, L.F. Makarenko
Authors: Левчук, Е. А.
Макаренко, Л. Ф.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2021
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 164-167.
Abstract: В работе проведено численное моделирование кинетики носителей заряда в сферическом кластере с гауссовым распределением концентрации дефектов. Дифференциальные уравнения для захвата носителей заряда решались с помощью метода конечных разностей с использованием метода Ньютона для нелинейного уравнения Пуассона. Рассчитана кинетика заполнения дефектов для различных параметров кластера и полупроводника. Показано, что неравномерность распределения дефектов существенно влияет на кинетику заполнения даже при отсутствии какого-либо влияния наличия кластеров на характеристики стационарного состояния. Для численных экспериментов задавались параметры дефектов, соответствующие дивакансии в кремнии, которая обычно проявляется в измерениях емкостной спектроскопии глубоких уровней. Результаты расчетов могут быть использованы для планирования доз облучения при постановке задачи определения характеристик кластеров радиационных дефектов и интерпретации данных емкостной спектроскопии, полученных для полупроводников, облученных ядерными частицами
Abstract (in another language): Effects of defect cluster are likely to be quite important to describe damage of silicon devices irradiated with heavy particles. However, at present, the understanding of electrical characteristics of semiconductors containing such clusters is insufficient as compared to the knowledge on the role of isolated point defects. So, it is desirable to develop experimental methods which could more clearly reveal cluster characteristics. For this purpose, we suggest to use detailed studies of kinetics of charge carrier trapping by defect clusters. To develop this method, numerical simulation of charge carrier kinetics in spherical cluster with gaussian distribution of defects has been carried out. Differential equations describing trap filling have been solved using finite difference method with applying Newton method for nonlinear Poisson equation. The kinetics of defects filling for different cluster and defect parameters in materials with different doping level has been numerically calculated. It is assumed that results of these numerical experiments can be used to interpret experimental data on deep level transient spectroscopy (DLTS) of neutron irradiated silicon crystals. It has been found that the stationary mode of cluster studies is applicable for dense cluster with high defect concentration in the core of cluster. Nonstationary mode (kinetics of charge carrier trapping) is more efficient for studies of "sparse" clusters. The described model can be used for planning the choice of materials and irradiation conditions and to interpret characteristics for DLTS method
Description: Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271080
ISSN: 2663-9939 (Print)
2706-9060 (Online)
Appears in Collections:2021. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
164-167.pdf352,71 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.