Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271080| Заглавие документа: | Численное моделирование кинетики захвата носителей зарядов кластерами дефектов |
| Другое заглавие: | Numerical modeling of charge carrier capture kinetics by defect clusters / E.A. Levchuk, L.F. Makarenko |
| Авторы: | Левчук, Е. А. Макаренко, Л. Ф. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 164-167. |
| Аннотация: | В работе проведено численное моделирование кинетики носителей заряда в сферическом кластере с гауссовым распределением концентрации дефектов. Дифференциальные уравнения для захвата носителей заряда решались с помощью метода конечных разностей с использованием метода Ньютона для нелинейного уравнения Пуассона. Рассчитана кинетика заполнения дефектов для различных параметров кластера и полупроводника. Показано, что неравномерность распределения дефектов существенно влияет на кинетику заполнения даже при отсутствии какого-либо влияния наличия кластеров на характеристики стационарного состояния. Для численных экспериментов задавались параметры дефектов, соответствующие дивакансии в кремнии, которая обычно проявляется в измерениях емкостной спектроскопии глубоких уровней. Результаты расчетов могут быть использованы для планирования доз облучения при постановке задачи определения характеристик кластеров радиационных дефектов и интерпретации данных емкостной спектроскопии, полученных для полупроводников, облученных ядерными частицами |
| Аннотация (на другом языке): | Effects of defect cluster are likely to be quite important to describe damage of silicon devices irradiated with heavy particles. However, at present, the understanding of electrical characteristics of semiconductors containing such clusters is insufficient as compared to the knowledge on the role of isolated point defects. So, it is desirable to develop experimental methods which could more clearly reveal cluster characteristics. For this purpose, we suggest to use detailed studies of kinetics of charge carrier trapping by defect clusters. To develop this method, numerical simulation of charge carrier kinetics in spherical cluster with gaussian distribution of defects has been carried out. Differential equations describing trap filling have been solved using finite difference method with applying Newton method for nonlinear Poisson equation. The kinetics of defects filling for different cluster and defect parameters in materials with different doping level has been numerically calculated. It is assumed that results of these numerical experiments can be used to interpret experimental data on deep level transient spectroscopy (DLTS) of neutron irradiated silicon crystals. It has been found that the stationary mode of cluster studies is applicable for dense cluster with high defect concentration in the core of cluster. Nonstationary mode (kinetics of charge carrier trapping) is more efficient for studies of "sparse" clusters. The described model can be used for planning the choice of materials and irradiation conditions and to interpret characteristics for DLTS method |
| Доп. сведения: | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271080 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 164-167.pdf | 352,71 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.