Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271063
Заглавие документа: Плазмонные эффекты в графеновой наноструктуре с затвором в магнитном поле
Другое заглавие: Plasmonic effects in a graphene nanostructure with gate in a magnetic field / A.V. Felsharuk, A.L. Danilyuk
Авторы: Фельшерук, А. В.
Данилюк, А. Л.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2021
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 100-103.
Аннотация: Представлены результаты моделирования коэффициентов распространения и поглощения электромагнитного излучения (ЭМИ) в однослойной графеновой наноструктуре с одним затвором в зависимости от приложенного перпендикулярно к плоскости графена магнитного поля и напряжения на затворе в терагерцевом частотном диапазоне (от 1 до 10 ТГц). Полученные частотные зависимости показали, что управлять коэффициентами распространения и поглощения ЭМИ графена можно путем изменения значения величин напряжения на затворе и приложенного магнитного поля. Наиболее существенное влияние магнитного поля на коэффициент распространения и отрицательную величину коэффициента поглощения наблюдается в частотном диапазоне вблизи 1 ТГц при значениях напряжения на затворе около 0,2 В. Увеличение напряжения и частоты ЭМИ ведет к потере усиления за счет плазмонов
Аннотация (на другом языке): The results of simulation of the coefficients of propagation and absorption of electromagnetic radiation (EMR) in a single-layer graphene nanostructure with one gate are presented, depending on the magnetic field applied perpendicular to the graphene plane and the gate voltage in the terahertz frequency range (from 1 to 10 THz). The obtained frequency dependences showed that it is possible to control the EMR propagation and absorption coefficients of graphene by changing the values of the gate voltage and the applied magnetic field. The most significant effect of the magnetic field on the propagation coefficient and the negative value of the absorption coefficient is observed in the frequency range near 1 THz at gate voltage values of about 0.2 V. An increase in gate voltage and frequency leads to a loss of gain due to plasmons. It was found that in the region of magnetic fields with an induction of 2 T, the frequency dependences of the EMR propagation and absorption coefficients are nonmonotonic. The propagation coefficient is characterized by a minimum approximately equal to one at a frequency of 5-6 THz. The absorption coefficient in this case changes from negative values at a frequency of less than 5 THz to positive values at a frequency of more than 5 THz. In the region of increased magnetic fields with an induction of 10 T, the frequency dependences of the propagation and absorption coefficients become monotonic. In this case, the propagation coefficient increases to several hundred in the frequency range 1-2 THz and decreases to 10-20 in the range of 9-10 THz. The absorption coefficient is negative in the entire frequency range, decreasing in absolute value from -9 10 4 to -10 4 m-1
Доп. сведения: Секция 1. Процессы взаимодействия излучения и плазмы с твердым телом = Section 1. Processes of Radiation and Plasma Interaction with Solids
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271063
ISSN: 2663-9939 (Print)
2706-9060 (Online)
Располагается в коллекциях:2021. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
100-103.pdf419,06 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.