Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271059| Заглавие документа: | Электронные процессы в гетероструктуре оксид титана/кремний при облучении солнечным светом |
| Другое заглавие: | Electronic processes in titanium oxide/silicon heterostructure under sun radiation / Hanna Kuraptsova |
| Авторы: | Курапцова, А. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 82-85. |
| Аннотация: | В данной работе представлены результаты компьютерного моделирования электрофизических характеристик гетероструктуры пленка оксида титана на кремниевой подложке при облучении солнечным светом. Были исследованы распределение скоростей генерации и рекомбинации в структуре, зависимости концентрации носителей заряда (электронов и дырок), плотность электрического заряда на поверхности пленки, электрический потенциал на поверхности пленки, протекающие в структуре токи от длины волны падающего на пленку оксида титана излучения и типа проводимости кремниевой подложки, а также от энергии стехиометрического дефектного уровня Ti 3+ в оксиде титана. Были построены энергетические диаграммы гетероструктуры для n- и p-типов проводимости кремниевой подложки. Было предложено объяснение отсутствия зависимости концентрации электронов и плотности электрического заряда на поверхности пленки в гетероструктуре с n-типом проводимости подложки от длины волны излучения |
| Аннотация (на другом языке): | This work presents the results of computer simulation of the electrophysical characteristics of the heterostructure of a titanium oxide film on a silicon substrate under sun radiation. The dependences of the concentration of charge carriers (electrons and holes), the generation and recombination rates distribution in the structure, the electric charge density on the film surface, the electric potential on the film surface, currents flowing in the structure on the wave-length of the radiation incident on the titanium oxide film and the type of silicon conductivity as well as on the energy of the stoichiometric defect level Ti 3+ in titanium oxide were investigated. The energy diagrams of the heterostructure were plotted for the n- and p-types of conductivity of the silicon substrate. The dependence of the surface charge density on the energy of the Ti 3+ defects level in titanium oxide was observed. An explanation was proposed for the absence of the dependence of the electron concentration and the electric charge density on the film surface in a heterostructure with an n-type substrate conductivity on the radiation wavelength |
| Доп. сведения: | Секция 1. Процессы взаимодействия излучения и плазмы с твердым телом = Section 1. Processes of Radiation and Plasma Interaction with Solids |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271059 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.