Влияние проникающего излучения на характеристики биполярного транзистора с изолированным затвором

Ловшенко, И. Ю.; Снитовский, Ю. П.; Стемпицкий, В. Р.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271050

Title:	Влияние проникающего излучения на характеристики биполярного транзистора с изолированным затвором
Other Titles:	Influence of penetrating radiation on the characteristics of a in-sulated gate bipolar transistor / I.Yu. Lovshenko, Yu.P. Snitovsky, V.R. Stempitsky
Authors:	Ловшенко, И. Ю. Снитовский, Ю. П. Стемпицкий, В. Р.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2021
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 579-583.
Abstract:	Представлены результаты моделирования эксплуатационных характеристик приборных структур биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ), сформированного в стандартном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» (КНИ), с учетом воздействия потоков электронов с энергией EE = 4 МэВ, нейтронов с энергией EN = 1.5 МэВ и протонов с энергией EP = 2 МэВ. Рассмотрены особенности функционирования различных конструктивных решений БТИЗ. Определены зависимости отклонения основных параметров БТИЗ (пороговое напряжение, максимальный ток коллектора, время включения и выключения) от величины флюенса электронов, нейтронов и протонов
Abstract (in another language):	The results of the operational characteristics of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) device structures simulation formed using standard silicon and using the Silicon on Insulator (SOI) technology, taking into account the effect of electron fluxes with an energy of EE = 4 MeV, neutrons with energy EN = 1.5 MeV and protons with energy EP = 2 MeV was presented. The features of the functioning of various design solutions of the IGBT are considered. Dependences of the deviation of the main parameters of the IGBT (threshold voltage, maximum collector current, turn-on and turn-off times) on the fluence of electrons, neutrons and protons have been deter-mined
Description:	Секция 6. Современное оборудование и технологии = Section 6. Advances in equipment and technologies
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/271050
ISSN:	2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online)
Sponsorship:	Исследования выполняются при финансовой поддержке и в рамках решения задач государственной программы научных исследований «Фотоника и электроника для инноваций» (задание 3.04)
Appears in Collections:	2021. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
579-583.pdf		354,32 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar