Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271030| Заглавие документа: | Диффузия ионно-имплантированного германия из SiO2 в кремний и формирование фазы SiGe |
| Другое заглавие: | Ion implanted germanium diffusion from SiO2 in Si and SiGe phase formation / Ida Tyschenko, Roman Khmelnitsky, Vladimir Volodin, Vladimir Popov |
| Авторы: | Тысченко, И. Е. Хмельницкий, Р. А. Володин, В. А. Попов, В. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 500-504. |
| Аннотация: | Изучена диффузия атомов германия, имплантированных в захороненный слой SiО2 структуры кремний-на-изоляторе (КНИ) в зависимости от температуры и длительности отжига. Имплантация ионов Ge+ с энергией 40 кэВ дозой 8·10 15 см-2 проводилась в термически выращенные пленки SiO2 на кремниевой монокристаллической подложке Si с последующим переносом на SiO2 пленки кремния. Толщина слоя КНИ варьировалась от 600 до 35 нм. Отжиг проводился при температурах 900-1100°C в течение 30 или 180 мин. Показано, что при температуре отжига ниже 1100°C практически весь Ge сосредоточен в области имплантации в слое SiO2. Начиная с Т = 1100°C, профиль германия начинает смещаться к поверхности SiO2. С ростом длительности отжига от 30 до 180 минут наблюдается диффузия Ge в пленку верхнего кремния на глубину около 300 нм. Обнаружено формирование фазы Ge и SiGe после отжига при температуре 1100°C. Установлено, что стехиометрический состав и пространственное распределение новой фазы зависит от толщины пленки верхнего кремния и длительности отжига |
| Аннотация (на другом языке): | The diffusivity of Ge atoms ion-implanted in the buried SiO2 layers of silicon-on-insulator (SOI) structures was investigated as a function of annealing temperature and annealing time. Ge+ ions at the energy of 40 keV to the dose of 8·10 15 cm-2 were implanted in the SiO2 films thermally-grown on the monocrystalline silicon substrates followed by hydrogen transfer of Si films on the SiO2. The thicknesses of the transferred Si films were ranged from 35 to 640 nm. Subsequent annealing was carried out at a temperature of 900-1100°C for 30 min or 180 minutes. Secondary ion mass spectrometry, Raman spectroscopy and high-resolution electron microscopy on the cross section were used to study the performed structures. It was obtained that at the temperature below 1100°C, almost all Ge atoms were localized in the ion-implantation region in the SiO2 layer. Beginning from T = 1100°C, the Ge atom profile shifted toward the top SiO2 surface. As the annealing duration increased from 30 to 180 min, the Ge diffusion in the top Si film to the depth of about 300 nm was observed. The formation of Ge or SiGe phase was detected after annealing at the temperature of 1100°C. It was established that both the stoichiometric composition and depth distribution of the synthesized phases depend on the top silicon layer thickness as well as on the annealing time |
| Доп. сведения: | Секция 4. Формирование наноматериалов и наноструктур = Section 4. Formation of nanomaterials and nanostructures |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271030 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ (ГЗ 0242-2021-0003) |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 500-504.pdf | 744,18 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.