Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271029| Title: | Термостабильность высокоомных слоев в имплантированном ионами СО+ кремнии |
| Other Titles: | Thermal stability of high-resistance layers in CO+ ion-implanted silicon / V.P. Popov, S.M. Tarkov, V.A. Antonov, A.K. Gutakovsky, V.I. Vdovin, I.E. Tyschenko |
| Authors: | Попов, В. П. Тарков, С. М. Антонов, В. А. Гутаковский, А. К. Вдовин, В. И. Тысченко, И. Е. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 494-499. |
| Abstract: | Протонная изоляция полупроводников за счет большой плотности радиационных дефектов применялась для изготовления радиочастотных устройств на арсениде галлия. Недостатком метода является низкая термическая стабильность в кремнии. Наноразмерные включения широкозонных полупроводников и диэлектриков (антиточки) формируют вместо нестабильных радиационных дефектов в окрестностях гетерограниц изгибы запрещенной зоны кремния, подобнные области пространственного заряда (ОПЗ) в p-n переходе, без подвижных носителей заряда. Термостабильность изоляции доказана на примере синтеза наноразмерных преципитатов карбида (SiC) и диоксида кремния (SiO2) в низкоомном (~1 Ом·см) кремнии Чохральского (Cz-Si) n- и р-типа при имплантации молекулярных ионов СО+ с энергией ~100 кэВ, флюенсом ~(1-3)х10 16 см-2 и последующем отжиге при температурах ~ 1100°С |
| Abstract (in another language): | Proton isolation in semiconductors due to the high density of radiation defects was used for the manufacture of radio frequency (RF) devices based on gallium arsenide. The disadvantage of the method is that it cannot be used in silicon RF CMOS integral technology due to its low thermal stability. We created nanoscale inclusions of wide-band semiconductors and dielectrics (anti-dots) instead of unstable radiation defects. The anti-dots form bends of the silicon band gap in the vicinity of the heterointerfaces, similar to the insulating layer in the p-n junction, and guarantee the absence of mobile charge carriers. The thermal stability of the insulation is proved by the example of the synthesis of nanoscale precipitates of carbide (SiC) and silicon dioxide (SiO2) in low-resistance (~1 Ohm·cm) Czochralsky (Cz -Si)n-and p-type silicon by implantation of molecular CO+ ions with an energy of ~100 keV, a fluence of ~(1-3) 10 16 cm-2, and subsequent annealing at temperatures of ~ 1100°C. The formed local high-resistance layer with antidots ~ 2 microns thick was preserved in the Si substrate during the manufacturing of CMOS logic cells and optoelectronic phase shifters. The mobility of charge carriers in the active regions of these devices practically did not differ from the initial one, both for silicon-on-insulator (SOI) structures and for bulk silicon wafers |
| Description: | Секция 4. Формирование наноматериалов и наноструктур = Section 4. Formation of nanomaterials and nanostructures |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271029 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Sponsorship: | Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 19-29-03031_мк) |
| Appears in Collections: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 494-499.pdf | 812,41 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.