Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271025| Title: | Влияние воздействия электронных пучков и гидрогенизации на оптические характеристики многослойных наноструктур CaF2/Si/CaF2/Si(111) |
| Other Titles: | Influence of exposure to electron beams and hydrogenation on the optical properties of multilayer CaF2/Si/CaF2/Si(111) nanostructures / A.V. Mudryi, V.D. Zhivulko, O.M. Borodavchenko, V.A. Zinovyev, A.V. Kacyuba, A.F. Zinovieva, Zh.V. Smagina, A.V. Dvurechenskii, A.Y. Krupin |
| Authors: | Мудрый, А. В. Живулько, В. Д. Бородавченко, О. М. Зиновьев, В. А. Кацюба, А. В. Зиновьева, А. Ф. Смагина, Ж. В. Двуреченский, А. В. Крупин, А. Ю. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 476-480. |
| Abstract: | Исследованы оптические характеристики структур с чередующимися нанослоями CaF2 и Si, созданными методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(111). Обнаружено, что воздействие электронного пучка с энергией ~ 20 кэВ и плотностью тока 50 мкА/см2 на формирующиеся нанослои CaF2 и Si в процессе эпитаксии приводит к модификации наноструктуры CaF2/Si/CaF2/Si(111) с образованием соединения CaSi2. В спектрах комбинационного рассеяния света обнаружены узкие линии на частотах ~ 342, 385 и 413 см-1 , соответствующие колебательным модам для одной из полиморфных фаз CaSi2. Установлено, что гидрогенизация приводит к образованию дефектов структуры, обуславливающих увеличение интенсивности полосы в спектральной области ~ 0.8 эВ в низкотемпературных (~ 78 K) спектрах фотолюминесценции наноструктур CaF2/Si/CaF2/Si(111) |
| Abstract (in another language): | The optical characteristics of structures with alternating CaF2 and Si nanolayers produced by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates are studied. It was found that the action of electron beam an energy of ~ 20 keV and a current density of 50 μA/cm2 on the forming of CaF2 and Si nanolayers during epitaxy leads to the modification of CaF2/Si/CaF2/Si(111) nanostructures with the formation of CaSi2 compounds. In the Raman spectra narrow lines were found at frequencies of ~ 342, 385, and 413 cm-1 , corresponding to vibrational modes for one of the polymorphic phases CaSi2. It was found that hydrogenization leads to the formation of structural defects, causing an increase on intensity of the band in the spectral region of ~ 0.8 eV in low temperature spectra (~ 78 K) photoluminescence of CaF2/Si/CaF2/Si(111) nanostructures |
| Description: | Секция 4. Формирование наноматериалов и наноструктур = Section 4. Formation of nanomaterials and nanostructures |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271025 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Sponsorship: | Работа выполнена по проекту БРФФИ Ф20Р-082 и РФФИ (грант № 20-52-00016) |
| Appears in Collections: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 476-480.pdf | 363,57 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.