Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/270019
Заглавие документа: | Технология изготовления голографических дифракционных оптических элементов на тонкопленочных структурах металл – халькогенидный стеклообразный полупроводник : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель А. Л. Толстик |
Авторы: | Толстик, А. Л. Сташкевич, И. В. Мельникова, Е. А. Даденков, И. Г. Высоцкая, Н. К. |
Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Металлургия ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленность ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение |
Дата публикации: | 2021 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Аннотация: | Объектом исследования являлись структуры металл-халькогенидный стеклообразный полупроводник. Цель работы - изучение фотостимулированных структурных превращений в пленках металл- халькогенидный стеклообразный полупроводник (ХСП) и влияния коронного разряда на структурные изменения и запись голографических решеток. В результате определены полосы поглощения напыленных пленок металл-халькогенидный стеклообразный полупроводник (Ме-ХСП) как в видимом, так и в инфракрасном диапазонах. При этом наличие подслоя с хромом приводит к увеличению поглощения во всей спектральной области и сглаживанию структуры полос. Наличие двух подслоев с хромом и серебром сохраняет структуру полос поглощения, но приводит к сдвигу полос в длинноволновую область на величину 20 - 50 нм в видимой области спектра и 100 - 150 нм в ИК-области. Определено влияние коронного разряда на процессы фотоиндуцированных структурных изменений тонких пленок ХСП и фотостимулируемую диффузию металла в пленки. Показано, что экспонирование пленок приводит к структурным изменениям и диффузии металла в пленку, при этом коронный разряд улучшает динамику записи голографических решеток и увеличивает дифракционную эффективность. Проанализирован процесс записи голографических решеток на длине волны излучения аргонового лазера 488 нм, а также процесс химического травления, позволяющий сформировать рельефную голографическую решетку. Определены оптимальные условия формирования дифракционных решеток в пленках сульфида мышьяка. Показано, что на длине волны 488 нм оптимальная экспозиция составила ~ 5 – 8 Дж/см2. Формируется фазовая решетка с дифракционной эффективностью на уровне единиц процентов. Травление экспонированного образца раствором щелочи NaOH в деоионизированной воде и изопропаноле позволило существенно увеличить глубину рельефа и повысить дифракционную эффективность тонкой рельефной решетки до 20% для красной области спектра и приблизиться к максимальному значению ~ 33% для ближней ИК области. Решетки стабильны, имеют высокую дифракционную эффективность и могут записываться на вогнутых подложках, что делает их перспективными для использования в современных спектральных приборах. |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/270019 |
Регистрационный номер: | Рег. № НИР 20192198 |
Располагается в коллекциях: | Отчеты 2021 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Отчет 20192198 Толстик.DOCX | 6,4 MB | Microsoft Word XML | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.