Получение и физические свойства Cu(In,Ga)(S,Se)2 пленок для фотопреобразователей многокристальных модулей

Abstract

Представлены результаты исследований физических свойств тонких пленок Cu(In,Ga)(S,Se)2, полученных методом сульфиризации/селенизации интерметаллических слоев Cu–In–Ga. Основное отличие предлагаемого метода от известных технологий — сульфиризация/селенизация проводится одним технологическим этапом и без использования высокотоксичных газов H2Se и H2S. Предлагаемый метод перспективен для получения однофазных пленок твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2 большой площади с заданными физическими характеристиками (ширина запрещенной зоны, распределение компонент по глубине, коэффициент оптического поглощения, удельное электрическое сопротивление и пр.), что обеспечивается контролем соотношения компонентов и технологических режимов синтеза.