Влияние ретикулярной плотности и уровня легирования на оптические характеристики кремния: реферат дипломной работы/ Бартель Евгений Александрович;физический факультет, кафедра лазерной физики и спектроскопии; научный руководитель инженер 1 категории ГЦ «Белмикроанализ» ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Омельченко Анна Александровна.

Бартель, Евгений Александрович

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/261884

Title:	Влияние ретикулярной плотности и уровня легирования на оптические характеристики кремния: реферат дипломной работы/ Бартель Евгений Александрович;физический факультет, кафедра лазерной физики и спектроскопии; научный руководитель инженер 1 категории ГЦ «Белмикроанализ» ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Омельченко Анна Александровна.
Authors:	Бартель, Евгений Александрович
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	Jun-2021
Publisher:	Минск, БГУ
Abstract:	Объекты исследования: кремниевые пластины марок КДБ12, КДБ0.005, КЭС0.015 ориентации <100> и КДБ10 ориентации <111>, диаметром 100 мм, прошедшие стандартную химико-механическую полировку. Цель исследования: исследование влияния быстрой термообработки на оптические характеристики кремния в области Г-точки зоны проводимости в зависимости от типа проводимости кремниевых пластин, уровня их легирования, ковалентного радиуса легирующих примесей, а также ориентации поверхности пластины. Метод исследования: спектральная эллипсометрия.
Abstract (in another language):	Objects of research: silicon plates of the grades KDB12, KDB0.005, KES0.015 of the orientation <100> and KDB10 of the orientation <111>, with a diameter of 100 mm, passed the standard chemical-mechanical polishing. The purpose of the study: investigation of the effect of rapid thermal treatment on the optical characteristics of silicon in the region of the G-point of the conduction band, depending on the type of conductivity of silicon wafers, the level of their doping, the covalent radius of alloying impurities, and the orientation of the wafer surface. Research method: spectral ellipsometry.
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/261884
Appears in Collections:	Физика (производственная деятельность). 2021

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Бартель Евгений_реферат.pdf		290,77 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar