Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/259513| Заглавие документа: | Моделирование плазмонного резонанса в периодических многослойных структурах на основе хрома с поверхностным островковым слоем |
| Другое заглавие: | Modeling of plasmon resonance in periodic multilayer structures based on chromium with a surface island layer / I. R. Koshelev, F. I. Mukhammad, P. I. Gaiduk |
| Авторы: | Кошелев, И. Р. Мухаммад, А. И. Гайдук, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Журнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. - 2021. - № 1. - С. 26-32 |
| Аннотация: | Методом конечных разностей во временной области проведено моделирование оптических свойств структур Cr/Si/Cr и Cr/CrSi2 /Cr с периодически расположенными островками хрома. Обнаружено, что для рассматриваемых структур характерно явление плазмонного резонанса. Определены зависимости интенсивности и положения пика плазмонного поглощения от толщины и радиуса островков. Отмечено, что при увеличении толщины островков до 120 нм интенсивность пика поглощения возрастает до 69 % для структуры Cr/Si/Cr и до 55 % для структуры Cr/CrSi2 /Cr. Установлено, что пик плазмонного поглощения в спектре структуры Cr/Si/Cr находится на меньшей длине волны (8,4 мкм для Cr/Si/Cr, 11,1 мкм для Cr/CrSi2/Cr), а также имеет бóльшую интенсивность (доля поглощенного излучения на 14 % выше по сравнению с пиком плазмонного поглощения в спектре структуры Cr/CrSi2 /Cr). Полученные зависимости указывают на возможность использования структур Cr/Si/Cr и Cr/CrSi2 /Cr в качестве детекторов ИК-диапазона. |
| Аннотация (на другом языке): | The optical properties of Cr/Si/Cr and Cr/CrSi2 /Cr structures with periodically located chromium islands are modeled using the finite-difference time domain method. These structures are characterized by the phenomenon of plasmon resonance. The dependences of the intensity and position of the plasmon absorption peak on the thickness and radius of the islands are determined. It was observed that when the island thickness increases to 120 nm, the intensity of the absorption peak increases to 69 % for the Cr/Si/Cr structure and to 55 % for the Cr/CrSi2 /Cr structure. It was found that the peak of plasmon absorption in the spectrum of the Cr/Si/Cr structure is at a shorter wavelength (8.4 µm for Cr/Si/Cr, 11.1 µm for Cr/CrSi2/Cr), and also has a higher intensity (the share of absorbed radiation is 14 % higher compared to the peak of plasmon absorption in the spectrum of the Cr/CrSi2 /Cr structure). The obtained dependences indicate that the Cr/Si/Cr and Cr/CrSi2 /Cr structures can be used as IR detectors. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/259513 |
| ISSN: | 2520-2243 |
| DOI документа: | 10.33581/2520-2243-2021-1-26-32 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2021, №1 |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.