Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257361
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorФедотов, А. К.
dc.contributor.authorХарченко, А. А.
dc.contributor.authorГуменник, В. Э.
dc.contributor.authorФедотова, Ю. А.
dc.contributor.authorЧичков, М. В.
dc.contributor.authorМалинкович, В. Д.
dc.contributor.authorРыбин, М. Г.
dc.contributor.authorОбразцова, Е. Д.
dc.contributor.authorБаев, В. Г.
dc.date.accessioned2021-03-24T12:26:27Z-
dc.date.available2021-03-24T12:26:27Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 420-424.
dc.identifier.isbn978-985-881-073-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/257361-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractИзучены температурные зависимости слоевого сопротивления R (Т, В) поликристаллических слоев графена, полученных методом химического осаждения из газовой фазы. Исследовано влияние технологических факторов получения (особенности роста, тип прекурсоров, способ переноса с медной фольги и тип подложки) на особенности электрической проводимости графеновых образцов в диапазоне температур 2 ≤ T ≤ 300 К. Показано, что, метод формирования графена влияет на величину проводимости и тип носителей заряда, при незначительном влиянии подложки
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние синтеза и подложки на электросопротивление в однослойном графене
dc.title.alternativeInfluence of synthesis and substrate on electrical resistance in single-layer graphene / А. K. Fedotov, A. A. Kharchanka, V. E. Gumenik, J. A. Fedotova, M. V. Chichkov, M. D. Malinkovich, M. G. Rybin, E. D. Obraztsova, V. G. Bayev
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe temperature dependences of the layer resistance R (T, B) of polycrystalline graphene layers obtained by chemical vapor deposition are studied. The influence of technological factors of preparation (features of growth, type of precursors, method of transfer from copper foil, and type of substrate) on the features of electrical conductivity of graphene samples in the temperature range 2 ≤ T ≤ 300 K is investigated. It is shown that the method of graphene formation affects the conductivity and the type of charge carriers, with a slight influence of the substrate
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
420-424.pdf454,63 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.