Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257342Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Жевняк, О. Г. | |
| dc.contributor.author | Жевняк, Я. О. | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-24T12:26:23Z | - |
| dc.date.available | 2021-03-24T12:26:23Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 345-348. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-073-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257342 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Надёжная работа элементов флеш-памяти ограничена деградацией его характеристик, прежде всего, уменьшением подвижности электронов и наличием паразитных токов. В данной работе проведено численное моделирование электронного переноса в элементах флеш-памяти на основе МОП-транзисторов с плавающим затвором для разных режимов считывания информации. Рассчитаны значения паразитных токов и построены двумерные распределения величины подвижности электронов. Показано, что минимальное значение подвижности наблюдается в области вблизи поверхности раздела Si/SiO2, откуда и формируется паразитный туннельный ток | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Моделирование двумерных распределений подвижности электронов в элементах флеш-памяти | |
| dc.title.alternative | Simulation of two-dimensional distributons of electron mobility in flash-memory cells / O. G. Zhevnyak, Ya. O. Zhevnyak | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Reliable operation of flash-memory cells are limited by degradation of some characteristics, primarily electron mobility lowering and parasitic current growth. In present work the electron transport in flash-memory cells based on MOS-transistors with floating gate has been simulated. The values of parasitic current as well as two-dimensional distributions of electron mobility have been calculated. It is shown that minimal value of mobility takes place at Si/SiO2 border | |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 345-348.pdf | 571,03 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.