Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257335Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гревцов, Н. Л. | |
| dc.contributor.author | Бондаренко, В. П. | |
| dc.contributor.author | Ланин, В. Л. | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-24T12:26:22Z | - |
| dc.date.available | 2021-03-24T12:26:22Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 320-324. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-073-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257335 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Исследована возможность осаждения в каналы пор пористого кремния легкоплавких металлов индия и олова, а также сплава олово-цинк-кадмий. Металлы были осаждены на подготовленные анодированием подложки из мезопористого кремния путём расплавления при ультразвуковой обработке. Изучение образцов методами сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии показало, что данный метод обеспечивает полное заполнение каналов пор металлом, обеспечивая его наибольшую концентрацию в верхней части канала | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Нанокомпозитные материалы на основе пористого кремния и легкоплавких металлов | |
| dc.title.alternative | Porous silicon and fusible metal-based nanocomposite materials / N. L. Grevtsov, V. P. Bondarenko, V. L. Lanin | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Deposition of three different fusible metals into porous silicon was evaluated: In, Sn and a Sn-Zn-Cd alloy. Each metal was deposited via ultrasound-assisted high temperature processing onto porous silicon wafers obtained by anodizing monocrystalline silicon. The results of scanning electron microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy suggest that this method allows to completely fill the pore channels with metal, with its highest concentration observed in the topmost part of the porous layer | |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 320-324.pdf | 2,06 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.