Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257332
Заглавие документа: Особенности низкотемпературного магнитосопротивления диска Корбино с магнитным упорядочением
Другое заглавие: Peculiarity of the low temperature magnetoresistive effect in a Corbino’s disk with magnetic ordering / V. I. Golovchuk, M. G. Lukashevich
Авторы: Головчук, В. И.
Лукашевич, М. Г.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2020
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 305-311.
Аннотация: В температурном интервале T=300–2К изучены петли гистерезиса поперечного магниторезистивного эффекта в диске Корбино с магнитным упорядочением при параллельной (ϕ = 0°) и перпендикулярной (ϕ =90°) ориентациях направления магнитного поля с индукцией до В = ±1Тл и плоскостью диска. Показано, что на магнитополевых зависимостях магнитосопротивления (МС) наблюдаются резкие пики отрицательного МС (ОМС), обусловленные перестройкой доменной структуры при перемагничивании образца, положение которых определяется углом между направлением магнитного поля и плоскостью диска, а также температурой
Аннотация (на другом языке): In the temperature range T=300–2K, the transverse magnetoresistive effect hysteresis loops in the Corbino disk with magnetic ordering were studied at parallel (ϕ =0°) and perpendicular (ϕ =90°) orientations of the magnetic field direction with induction up to B = ±1T and a plane disk. It is shown that the magnetic field dependences of the magnetoresistance (MR) exhibit sharp peaks in the negative MR (NMR) caused by the rearrangement of the domain structure upon magnetization reversal of the sample, the position of which is determined by the angle between the direction of the magnetic field and the plane of the disk, as well as by the temperature
Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257332
ISBN: 978-985-881-073-3
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
305-311.pdf521,16 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.