Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257319Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Богатырев, Ю. В. | |
| dc.contributor.author | Кетько, А. В. | |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | |
| dc.contributor.author | Лозицкий, Е. Г. | |
| dc.contributor.author | Огородников, Д. А. | |
| dc.contributor.author | Пиловец, С. А. | |
| dc.contributor.author | Шпаковский, С. В. | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-24T12:26:19Z | - |
| dc.date.available | 2021-03-24T12:26:19Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 26-30. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-073-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257319 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Представлены результаты экспериментальных исследований радиационной стойкости двух типов интегральных микросхем памяти (1635РУ2У, 1669РА035), мощных n-канальных МОП-транзисторов IFP830, а также микросхемы аналогового температурного датчика при воздействии гамма-излучения Со 60 . Достаточно высокая радиационная стойкость исследованных электронных компонентов позволяет их использовать в аппаратуре авиационной и космической техники | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Радиационностойкие электронные компоненты для космической техники | |
| dc.title.alternative | Radiation-hardened electronic components for space applications / Yu. V. Bogatyrev, S. B. Lastovskij, D. A. Ogorodnikov, A. V. Ket’ko, E. G. Lozitskiy, S. V. Shpakovskiy, S. A. Pilovets | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The results of experimental studies of radiation resistance of two types integrated memory chips (1635RU2U, 1669RA035), high-power n-channel MOSFETs IFP830 and analog temperature sensor chips under the influence of gamma radiation Co 60 are presented. The sufficiently high radiation resistance of the studied electronic components allows them to be used in aviation and space applications | |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.