Модификация пленок диазохинонноволачного фоторезиста имплантацией ионов бора

Abstract

Методом нарушенного полного внутреннего отражения исследованы пленки диазохинонноволачного фоторезиста, имплантированные ионами бора. Пленки позитивного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,0 и 2,5 мкм наносились методом центрифугирования на пластины кремния p-типа, легированного бором, с ориентацией (111). Имплантация ионами B+ с энергией 60 кэВ в интервале доз 1015–1016 cм–2 в режиме постоянного ионного тока (плотностью 4 мкА/см2 ) проводилась при комнатной температуре в остаточном вакууме не более 10–5 Па на имплантаторе «Везувий-6». Спектры нарушенного полного внутреннего отражения регистрировались в диапазоне 400 – 4000 см–1 спектрофотометром ALPHA (Bruker Optik GmbH, Германия) при комнатной температуре. Показано, что ионная имплантация приводит к интенсивной трансформации фоторезиста за областью пробега ионов, которая характеризуется появлением в спектре интенсивных полос с максимумами при 2151 и 2115 см–1, обусловленных валентными колебаниями двойных кумулятивных связей, в частности С —C — О. В имплантированных образцах наблюдалось смещение в низкоэнергетичную область максимумов валентных колебаний С — Н-связей, плоскостных деформационных колебаний О — Н-связей и пульсационных колебаний углеродного скелета ароматических колец, а также перераспределение интенсивностей между близкорасположенными максимумами.