Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/242523| Title: | Зависимость реактивного импеданса от инжекции и экстракции дырок в кремниевом p-n-p-транзисторе |
| Authors: | Марочкина, Яна Николаевна |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 18-May-2020 |
| Publisher: | Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники |
| Abstract: | Цель работы - установить влияние экстракции неравновесных носителей заряда из базовой области на реактивный импеданс биполярного p-n-p-транзистора; показать, что в транзисторных структурах наблюдается "эффект отрицательной ёмкости". |
| Description: | Исследование выполнено под руководством доцента кафедры физики полупроводников и наноэлектроники, кандидата физико-математических наук, Николая Ивановича Горбачука. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/242523 |
| Appears in Collections: | 2020. Научная конференция студентов и аспирантов БГУ: Секция "Физика полупроводников и наноэлектроники" |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Марочкина Яна_постер.pdf | 5,58 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.